英特尔正在按计划实现其“四年五个制程节点”的目标，目前，intel 7，采用euv（极紫外光刻）技术的intel 4和intel 3均已实现大规模量产。正在顺利推进中的intel 20a和intel 18a两个节点，将继续采用euv技术，并应用ribbonfet全环绕栅极和powervia背面供电技术，助力英特尔于2025年重夺制程领先性。
在“四年五个制程节点”计划之后，英特尔将继续采用创新技术推进未来制程节点的开发和制造，以巩固制程领先性。high na euv技术是euv技术的进一步发展，数值孔径（na）是衡量收集和集中光线能力的指标。通过升级将掩膜上的电路图形反射到硅晶圆上的光学系统，high na euv光刻技术能够大幅提高分辨率，从而有助于晶体管的进一步微缩。
作为intel 18a之后的下一个先进制程节点，intel 14a将采用high na euv光刻技术。此外，英特尔还公布了intel 3、intel 18a和intel 14a的数个演化版本，以帮助客户开发和交付符合其特定需求的产品。
为了制造出特征尺寸更小的晶体管，在集成high na euv光刻技术的同时，英特尔也在同步开发新的晶体管结构，并改进工艺步骤，如通过powervia背面供电技术减少步骤、简化流程。
将研究成果转化为可量产、可应用的先进产品，是英特尔50多年来的卓越所在。英特尔将继续致力于通过创新技术推进摩尔定律，以推动ai和其它新兴技术的发展。
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